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N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET,適用于電信應(yīng)用

N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET,適用于電信應(yīng)用

來源:本站時間:2025-08-08瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司現(xiàn)貨供應(yīng)英飛凌N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET,適用于電信應(yīng)用,如服務(wù)器電源、通信設(shè)備等。產(chǎn)品描述BSC052N08NS5是英飛凌OptiMOS? 5系列的一部分,采用PG-TDSON-8封裝。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為80V,最大導(dǎo)…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司現(xiàn)貨供應(yīng)英飛凌N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET,適用于電信應(yīng)用,如服務(wù)器電源、通信設(shè)備等。


產(chǎn)品描述

BSC052N08NS5是英飛凌OptiMOS? 5系列的一部分,采用PG-TDSON-8封裝。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為80V,最大導(dǎo)通電阻(RDS(on))為5.2毫歐,能夠承載最大95A的連續(xù)漏極電流(ID)。其優(yōu)化的開關(guān)性能有助于降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,從而減少并聯(lián)需求,提高功率密度。


產(chǎn)品特點

高效電源轉(zhuǎn)換:專為高效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計,適用于多種應(yīng)用場景。

低導(dǎo)通電阻:最大RDS(on)為5.2毫歐,有助于降低導(dǎo)通損耗。

高電流承載能力:最大ID為95A,能夠滿足高功率應(yīng)用需求。

優(yōu)化的封裝:采用SuperSO8封裝,尺寸為5x6mm,適合緊湊型設(shè)計。

寬工作溫度范圍:工作溫度范圍為-55°C至+150°C,適合各種環(huán)境條件。


核心優(yōu)勢

高效節(jié)能:相比上一代產(chǎn)品,RDS(on) 降低 43%,顯著提升功率密度

高電流承載能力:95A 連續(xù)電流,380A 脈沖電流,適用于大功率應(yīng)用

快速開關(guān):上升/下降時間僅 7ns/5ns,減少開關(guān)損耗

寬溫工作范圍:-55°C ~ +150°C,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境

低柵極電荷(Qg = 32nC),降低驅(qū)動損耗


產(chǎn)品屬性

制造商:Infineon Technologies  

型號:BSC052N08NS5

年份:24+

系列:OptiMOS?  

零件狀態(tài):在售  

FET 類型:N 通道  

技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss): 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 95A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 5.2 毫歐 @ 47.5A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 49μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 2900 pF @ 40 V  

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),83W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

封裝:PG-TDSON-8


典型應(yīng)用

電信基站電源

服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心電源

太陽能逆變器

輕型電動車(LEV)電機(jī)驅(qū)動

工業(yè)自動化控制


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