深圳明佳達電子有限公司 供應WeEn碳化硅產(chǎn)品：SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊深圳明佳達電子有限公司作為中國電子元器件領域的領先供應商，始終秉承“質(zhì)量第一、客戶至上”的經(jīng)營理念，持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量與服務標準，為日益增長的客戶群體提供高品質(zhì)電子元器件供應服…
深圳明佳達電子有限公司 供應WeEn碳化硅產(chǎn)品：SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊
深圳明佳達電子有限公司作為中國電子元器件領域的領先供應商，始終秉承“質(zhì)量第一、客戶至上”的經(jīng)營理念，持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量與服務標準，為日益增長的客戶群體提供高品質(zhì)電子元器件供應服務。
主要產(chǎn)品包括：5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、汽車級IC、通信IC、人工智能IC、存儲IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器及其他電子元件。
碳化硅
碳化硅（SiC）是一種廣泛應用于中高壓功率組件的半導體材料。這得益于其固有的寬禁帶和高熱導率特性。
SiC二極管
WeEn-semi SiC二極管提供650V和1200V平臺，采用小型芯片尺寸和150微米薄晶圓，以實現(xiàn)行業(yè)領先的產(chǎn)品競爭力。WeEn 第六代 SiC 肖特基二極管通過優(yōu)化肖特基接觸與 PN 結(jié)面積的比率，實現(xiàn)超低正向電壓（典型值 1.26V），并通過優(yōu)化 EPi 層摻雜濃度和晶圓減薄工藝，提供極低的導通電阻。WeEn 的創(chuàng)新 MPS 結(jié)構(gòu)顯著提升了電流沖擊能力。先進的銀燒結(jié)技術(shù)實現(xiàn)了產(chǎn)品性能與可靠性的完美結(jié)合。
碳化硅 MOSFET
碳化硅 MOSFETWeEn-semi 的第二代平面柵極碳化硅 MOSFET 以 12mΩ/1200V 的晶圓設計為代表，通過優(yōu)化關鍵參數(shù)（如 JFET 寬度和源極接觸面積寬度）、采用更小的單元尺寸，并結(jié)合先進的碳化硅晶圓減薄技術(shù)，
碳化硅功率模塊
WeEn 的碳化硅功率模塊產(chǎn)品包括采用半橋和全橋拓撲結(jié)構(gòu)的 PressFit 模塊，以及集成智能驅(qū)動器的系統(tǒng)級解決方案。這些模塊將多個 SiC 芯片集成到優(yōu)化封裝中，充分利用碳化硅材料的高頻和高效率優(yōu)勢，同時簡化客戶系統(tǒng)設計。
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