最新資訊該元件在1206小型封裝尺寸下實(shí)現(xiàn)10μH的高電感在10MHz至200MHz的寬頻率范圍內(nèi)具備高阻抗特性直流電阻降低約70%，額定電流提升1.7倍TDK株式會(huì)社（TSE：6762）擴(kuò)展了其PLEC69B系列（長(zhǎng)x寬x高：1.2 x 0.6 x 0.95mm）薄膜電感器產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心光…
該元件在1206小型封裝尺寸下實(shí)現(xiàn)10μH的高電感
在10MHz至200MHz的寬頻率范圍內(nèi)具備高阻抗特性
直流電阻降低約70%，額定電流提升1.7倍
TDK株式會(huì)社（TSE：6762）擴(kuò)展了其PLEC69B系列（長(zhǎng)x寬x高：1.2 x 0.6 x 0.95mm）薄膜電感器產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心光收發(fā)器中，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)與電源的分離。新產(chǎn)品已于2025年8月開(kāi)始量產(chǎn)。
隨著人工智能的廣泛應(yīng)用，對(duì)于高速、大容量光收發(fā)器的需求急劇增長(zhǎng)。這些收發(fā)器中使用的偏置T型電路可將信號(hào)與電源疊加在同一條傳輸線上。PLEC69B等電感器可利用阻抗特性，在偏置T型電路中將信號(hào)與電源分離，防止信號(hào)流入電源側(cè)。
新產(chǎn)品采用TDK專(zhuān)有的金屬磁性材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在1206尺寸下實(shí)現(xiàn)10μH電感值的最高標(biāo)準(zhǔn)性能。在10MHz至200MHz的寬頻率范圍內(nèi)，信號(hào)可憑借高阻抗與電源分離，從而提升通信質(zhì)量。此外，直流電阻為1.4Ω（典型值），較市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品低約70%。 這可減少功率損耗和熱量產(chǎn)生。額定電流（Isat）為0.2A，比同類(lèi)產(chǎn)品高出1.7倍。此外，更小的尺寸也節(jié)省了PCB空間。PLEC69B的最高工作溫度可達(dá)+125°C，確保了高可靠性。
TDK將繼續(xù)開(kāi)發(fā)低功耗和高速通信產(chǎn)品，豐富其產(chǎn)品陣容，滿足市場(chǎng)需求。這些產(chǎn)品專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及光通信設(shè)備和邊緣設(shè)備設(shè)計(jì)，為未來(lái)將顯著增長(zhǎng)的人工智能市場(chǎng)提供支持。
主要應(yīng)用
用于信號(hào)電路：光通信模塊中的偏置T型電路
用于電源電路：智能手機(jī)、真無(wú)線立體聲（TWS）、可穿戴設(shè)備
主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
具有高阻抗特性，頻率范圍為10MHz至200MHz
直流電阻降低約70%，典型電阻值為1.4Ω，有助于減少功率損耗和發(fā)熱
額定電流（Isat）為0.2A，提升1.7倍
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時(shí)間：2025-08-27
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