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深圳市明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT 晶體管，帶反并聯(lián)二極管

深圳市明佳達電子有限公司作為行業(yè)知名的電子元器件獨立分銷商，現(xiàn)貨供應Infineon的IKW25N120H3高速1200V 25A IGBT晶體管。它采用了先進的TRENCHSTOP?技術，并集成了反并聯(lián)二極管。

這款IKW25N120H3器件在開關損耗和導通損耗之間取得了優(yōu)異的平衡，特別適用于高頻硬開關應用，成為工業(yè)電機驅動、不間斷電源（UPS）、焊接設備和太陽能逆變器等應用的理想選擇。

【IKW25N120H3產品概述】

IKW25N120H3是英飛凌第四代高速TRENCHSTOP? IGBT技術的代表性產品。它采用TO-247-3封裝，集成了一個1200V、25A的IGBT和一個高速反并聯(lián)二極管。

這種設計減少了外部元件的需要，提高了系統(tǒng)集成度與可靠性。

該IKW25N120H3器件最大的技術亮點在于其優(yōu)化的開關特性。它采用了場截止（Field Stop）溝槽技術，不僅實現(xiàn)了較低的飽和壓降（Vce(sat)），還顯著降低了開關損耗，使其能夠在高達70kHz的頻率下高效工作。

【IKW25N120H3關鍵性能參數(shù)解析】

IKW25N120H3具備多項令人印象深刻的電氣特性，這些參數(shù)直接決定了其在應用中的性能表現(xiàn)：

電壓與電流規(guī)格：集電極-發(fā)射極電壓（Vces） 高達1200V，連續(xù)集電極電流（Ic） 在25°C時可達50A，在100°C時則為25A，脈沖電流能力更高達100A。

導通特性：集電極-發(fā)射極飽和電壓（Vce(sat)） 典型值為2.05V（在15V門極電壓、25A集電極電流條件下測試）。這一低導通壓降有助于降低導通狀態(tài)下的功率損耗。

開關特性：開通延遲時間（td(on)） 僅為26ns，關斷延遲時間（td(off)） 為277ns。如此快速的開關速度使其適用于高頻應用，但也需要在驅動電路設計中考慮抑制電壓過沖和電磁干擾。

開關損耗：開通能量（Eon） 為1.8mJ，關斷能量（Eoff） 為0.85mJ（硬開關條件下）。較低的開關損耗直接轉化為更高的系統(tǒng)效率和更小的熱管理需求。

集成二極管特性：內置反并聯(lián)二極管的反向恢復時間（trr） 為290ns34，正向電壓（VF） 為2.4V。這確保了在感性負載應用中具有續(xù)流能力。

熱性能：器件最大功耗（Ptot） 為326W，工作結溫范圍為-40°C至+175°C。較寬的溫度范圍使其能夠適應苛刻的工作環(huán)境。

【IKW25N120H3結構與封裝特點】

IKW25N120H3采用標準的TO-247-3通孔封裝（也稱為PG-TO247-3），這種封裝具有良好的機械強度和出色的熱性能。

IKW25N120H3封裝尺寸為：長度16.13mm，寬度5.21mm，高度21.1mm25。這種廣泛使用的封裝形式便于安裝和散熱處理，大多數(shù)標準散熱器都與之兼容。

IKW25N120H3器件本身重量約為5.42克，封裝材料符合RoHS和無鉛標準，滿足環(huán)保要求。封裝內部采用了銅基板和優(yōu)化的內部綁定線設計，確保良好的電流能力和熱傳導效率。

【IKW25N120H3技術特性與優(yōu)勢】

IKW25N120H3 IGBT晶體管集多項技術優(yōu)勢于一身：

高電壓能力：1200V的集射極擊穿電壓，適用于高壓應用環(huán)境

高電流處理：最大連續(xù)集電極電流達50A，脈沖電流可達100A

低損耗表現(xiàn)：結合低開關損耗和低導通損耗，提升系統(tǒng)效率

優(yōu)異的熱性能：工作結溫范圍-40°C至175°C，功率最大值達326W

快速開關特性：適合20kHz以上的高頻開關拓撲

這些特性使得IKW25N120H3成為多種功率電子應用的理想選擇。

【IKW25N120H3應用領域】

IKW25N120H3適用于多種功率電子應用，特別是那些需要高開關頻率和高效率的場合：

工業(yè)電機驅動：在變頻器和伺服驅動器中用作功率開關元件，其高開關頻率支持高精度電機控制。

不間斷電源（UPS）：特別適用于在線式UPS的逆變和整流部分，提高能源轉換效率。

焊接設備：用于逆變焊接機器的功率轉換部分，高頻率允許使用更小的變壓器。

太陽能逆變器：可用于組串型光伏逆變器的DC-AC轉換階段，高電壓能力適合光伏組串的電壓需求。

開關模式電源（SMPS）：特別適用于大功率通信電源和服務器電源的高頻功率轉換級。