深圳市明佳达电子有限公司意法半导体 STL33N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET，全新原装，质量保证！产品型号：STL33N60DM2系列： MDmesh™ DM2 产品状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25C 时电流 - 连…
深圳市明佳达电子有限公司意法半导体 STL33N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET，全新原装，质量保证！
产品型号：STL33N60DM2
系列： MDmesh™ DM2
产品状态： 在售
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳： 8-PowerVDFN
介绍
意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复 二极管系列 600V 功率 MOSFET，特别适合 ZVS 相移桥拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr)， 并有低 20% 的 RDS（on） （相比前一代产品）。高 dV/dt 强度（40V/ns），确保更高系统可靠性。
特性
栅极电荷和输入电容低
与上一代产品相比，RDS(on) x 面积更低
栅极输入电阻低
专为开关应用而设计
100% 经过雪崩测试
齐纳保护
高 dv/dt 和雪崩能力
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