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CSD87312Q3E是一款30V共源極雙N溝道器件，專為適配器/USB輸入保護設計。這款3.3×3.3mm SON封裝器件具有低漏極間導通電阻，可最大限度降低損耗，并為空間受限的多電池充電應用提供低元件數(shù)量方案。

CSD87312Q3E規(guī)格參數(shù)

技術類型：MOSFET（金屬氧化物）

結(jié)構配置：雙N溝道共源極

FET特性：邏輯電平柵極

漏源電壓(Vdss)：30V

持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C：27A

導通導通電阻(Rds On) @ Id, Vgs：33毫歐 @ 7A, 8V

閾值電壓(Vgs(th)) @ Id：1.3V @ 250μA

柵極電荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值) @ Vds:1250pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

工作溫度范圍:-55°C ~ 150°C (TJ)

CSD87312Q3E特性

共源極連接

超低漏極間導通電阻

節(jié)省空間的SON 3.3 x 3.3mm塑料封裝

優(yōu)化適配5V柵極驅(qū)動

低熱阻

雪崩耐受

無鉛端子鍍層

符合RoHS標準

無鹵素

CSD87312Q3E應用領域

筆記本電腦及平板電腦適配器/USB輸入保護

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