LMG2640RRGR 是一款專為開關模式電源應用設計的 650V 氮化鎵功率場效應晶體管(GaN Power-FET)半橋電路。LMG2640RRGR 通過將半橋功率場效應晶體管、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器集成于 9mm × 7mm QFN 封裝中,簡化了設計流程、減少了元器件數量并節(jié)省了電路板空間。
LMG2640RRGR 的特點
650V 氮化鎵功率場效應晶體管半橋
105mΩ 低側和高側氮化鎵場效應晶體管
集成低傳播延遲柵極驅動器
高帶寬和高精度電流檢測模擬
低側/高側柵極驅動互鎖
高側柵極驅動信號電平轉換器
智能切換自舉二極管功能
高側啟動時間:< 8μs
低側/高側周期性過流保護
過溫保護,通過FLT引腳報告
AUX空閑靜態(tài)電流:250μA
AUX待機靜態(tài)電流:50μA
BST 空閑靜態(tài)電流:65μA
最大供電和輸入邏輯引腳電壓:26V
9×7mm QFN 封裝,帶雙熱墊
LMG2640RRGR 的應用
交流/直流適配器和充電器
交流/直流 USB 墻式電源適配器
交流/直流輔助電源適配器
移動墻式充電器設計
USB 墻式電源插座
型號
品牌
封裝
數量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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