采用 TOLL 封裝的 IMT65R026M2H CoolSiC? MOSFET 650 V 第 2 代 (G2) 是利用 CoolSiC? G2 等高性能技術的趨勢性選擇。它克服了傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制，并改進了 .XT 互連以降低熱阻。因此，既能充分利用碳化硅的特性，又能保持較小的尺寸，是功率密度的下一個合理進步。
IMT65R026M2H 的特點
優(yōu)異的性能系數 (FOM)
同類最佳的 RDS(on)
出色的堅固性
靈活的驅動電壓范圍
引腳對引腳兼容所有 8x8 FET
通過 .XT 改進封裝互連
最大 Tj=175°C
TCoB 中的 12k 周期
IMT65R026M2H 的優(yōu)點
節(jié)省 BOM
最大限度地提高系統(tǒng)性能
可靠性最高，使用壽命更長
實現(xiàn)最高效率和功率密度
占用空間小，功率密度更高
最緊湊的子卡設計
充分利用碳化硅，占地面積小
IMT65R026M2H 的應用
智能電視的完整系統(tǒng)解決方案
儲能系統(tǒng)
暖通空調 (HVAC)
微型逆變器解決方案
電源轉換
型號
品牌
封裝
數量
描述
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