商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:361-FCBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C4042KV13-933FCXC 是一款高性能存儲器件,通過使用兩個獨立的雙向數(shù)據(jù)端口,可最大限度地提高每秒隨機事務(wù)處理量。
CY7C4042KV13-933FCXC 的特點
72 Mbit 密度(4M × 18、2M × 36)
總隨機交易速率為 2132 MT/s
最高工作頻率為 1066 MHz
讀取延遲為 8.0 個時鐘周期,寫入延遲為 5.0 個時鐘周期
8 個存儲體架構(gòu)可實現(xiàn)每個存儲體每個周期一次訪問
所有訪問均為雙字突發(fā)
雙獨立雙向數(shù)據(jù)端口
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 數(shù)據(jù)端口
支持兩個端口上的并發(fā)讀/寫事務(wù)
單地址端口用于控制兩個數(shù)據(jù)端口
DDR 地址信號
單數(shù)據(jù)速率 (SDR) 控制信號
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 和存根串聯(lián)端接邏輯 (SSTL) 兼容信令(符合 JESD8-16A 標準)
I/O VDDQ = 1.2 V ± 50 mV 或 1.25 V ± 50 mV
偽漏極開路 (POD) 信號(兼容 JESD8-24)
I/O VDDQ = 1.1 V ± 50 mV 或 1.2 V ± 50 mV
核心電壓
VDD = 1.3 V ± 40 mV
片上終端 (ODT)
可對時鐘、地址/命令和數(shù)據(jù)輸入進行編程
通過 ZQ 引腳對輸出阻抗進行內(nèi)部自校準
總線反轉(zhuǎn)可降低開關(guān)噪聲和功耗
地址和數(shù)據(jù)可編程開/關(guān)
地址總線奇偶校驗錯誤保護
每位糾偏訓練序列
片上糾錯碼 (ECC),可降低軟錯誤率 (SER)
JTAG 1149.1 測試訪問端口(符合 JESD8-26 標準)
1.3-V LVCMOS 信號
采用 361 球 FCBGA 無鉛封裝(21 × 21 毫米)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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