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IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，專為高電流和高電壓應用設計。該器件采用 N 通道結(jié)構(gòu)，具有低導通電阻（RDS(on)）和高電流處理能力，適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場景。

IXFX230N20T產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 230 A

Rds On-漏源導通電阻: 7.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 358 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 1.67 kW

通道模式: Enhancement

商標名: HiPerFET

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

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