商品名稱:STM32H747ZIY6TR
數(shù)據(jù)手冊:STM32H747ZIY6TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFBG-156
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STM32H747ZIY6TR 基于高性能Arm? Cortex?-M7和Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。Cortex?-M7內(nèi)核工作頻率高達(dá)480 MHz,Cortex?-M4內(nèi)核工作頻率高達(dá)240 MHz。這兩個(gè)內(nèi)核都具有浮點(diǎn)單元(FPU),支持Arm?單精度和雙精度(Cortex?-M7內(nèi)核)操作和轉(zhuǎn)換(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn)),包括全套DSP指令和內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),以提高應(yīng)用安全性。
STM32H747ZIY6TR 集成了高速嵌入式存儲器,具有高達(dá)200萬字節(jié)的雙組閃存、高達(dá)100萬字節(jié)的RAM(包括192KB的TCM RAM、高達(dá)864KB的用戶SRAM和4KB的備份SRAM),以及連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連的大量增強(qiáng)I/O和外設(shè)。
特性
核心
具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位Arm? Cortex?-M7內(nèi)核:16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存,支持從256位嵌入式閃存單次。
支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線;頻率高達(dá)400MHz,MPU、856DMIPS/2.14DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令
存儲器
高達(dá)2Mbyte閃存,具有同時(shí)讀寫能力
1mb的ram:192kb的tcm ram(包括64kb的itcm ram + 128kb的dtcm ram,用于存儲時(shí)間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù))、864kb的用戶sram,以及4kb備份域sram
雙模Quad-SPI存儲器接口,運(yùn)行頻率高達(dá)133MHz
具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時(shí)鐘頻率高達(dá)133MHz
CRC計(jì)算單元
安全性
ROP、PC-ROP、主動(dòng)篡改
通用輸入/輸出
多達(dá)168個(gè)具有中斷能力的i/o端口
運(yùn)行速率高達(dá)133MHz的快速I/O
多達(dá)164個(gè)5V容差I(lǐng)/O
復(fù)位和電源管理
3個(gè)獨(dú)立的電源域,可以獨(dú)立地進(jìn)行時(shí)鐘門控或關(guān)閉,以最大限度地提高電源效率。
D1:可實(shí)現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)
D2:通信外設(shè)和計(jì)時(shí)器
D3:復(fù)位/時(shí)鐘控制/電源管理
1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用usb電源,可為內(nèi)部phy供電
具有可配置的可擴(kuò)展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器(LDO),為數(shù)字電路供電。
在運(yùn)行和停止模式下進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)(5個(gè)可配置范圍)。
備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)
模擬外設(shè)的參考電壓/Vref+
低功耗模式:睡眠、停止、待機(jī)以及vbat支持電池充電
低功耗
總電流消耗低至4μA
時(shí)鐘管理
內(nèi)部振蕩器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振蕩器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3個(gè)帶分?jǐn)?shù)模式的PELL(1個(gè)用于系統(tǒng)時(shí)鐘,2個(gè)用于內(nèi)核時(shí)鐘)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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