商品名稱(chēng):STM32H753ZIT6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32H753ZIT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-144
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1500 件
STM32H753ZIT6 高性能MCU基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)400MHz。Cortex-M7內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類(lèi)型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU),可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。
特性
核心
具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm? Cortex?-M7內(nèi)核:16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存,
支持從256位嵌入式閃存單次訪問(wèn)一條高速緩存線;頻率高達(dá)400MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
存儲(chǔ)器
高達(dá)2Mbyte閃存,具有同時(shí)讀寫(xiě)能力
1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用于存儲(chǔ)時(shí)間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù))、864KB的用戶SRAM,以及4KB備份域SRAM
雙模Quad-SPI存儲(chǔ)器接口,運(yùn)行頻率高達(dá)133MHz
具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時(shí)鐘頻率高達(dá)133MHz
CRC計(jì)算單元
安全性
ROP、PC-ROP、主動(dòng)篡改
通用輸入/輸出
多達(dá)168個(gè)具有中斷能力的I/O端口
運(yùn)行速率高達(dá)133MHz的快速I(mǎi)/O
多達(dá)164個(gè)5V容差I(lǐng)/O
復(fù)位和電源管理
3個(gè)獨(dú)立的電源域,可以獨(dú)立地進(jìn)行時(shí)鐘門(mén)控或關(guān)閉,以最大限度地提高電源效率:
D1:可實(shí)現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)
D2:通信外設(shè)和計(jì)時(shí)器
D3:復(fù)位/時(shí)鐘控制/電源管理
1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專(zhuān)用USB電源,可為內(nèi)部PHY供電
具有可配置的可擴(kuò)展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器 (LDO),可為數(shù)字電路供電
在運(yùn)行和停止模式下進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)(5個(gè)可配置范圍)
備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)
模擬外設(shè)的參考電壓/VREF+
低功耗模式:睡眠、停止、待機(jī)以及VBAT支持電池充電
低功耗
總電流消耗低至4μA
時(shí)鐘管理
內(nèi)部振蕩器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振蕩器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3個(gè)帶分?jǐn)?shù)模式的PLL(1個(gè)用于系統(tǒng)時(shí)鐘,2個(gè)用于內(nèi)核時(shí)鐘)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
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