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CY15V104QN-20BFXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 4-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 EXCELON? LP F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X104QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐用性。CY15X104QI 能夠支持 1015 次讀寫周期，寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

這些功能使 CY15X104QI 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用的理想選擇。例如，在數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中，寫入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要；在要求苛刻的工業(yè)控制應(yīng)用中，串行閃存或 EEPROM 較長的寫入時(shí)間可能會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

CY15V104QN-20BFXI器件參數(shù)：

類別：存儲器存儲器  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 4Mb  

存儲器組織：512K x 8  

存儲器接口： SPI  

時(shí)鐘頻率： 20 MHz  

訪問時(shí)間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼 ：8-UFLGA  

供應(yīng)商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。