IXGA30N120B3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品采用IXYS最先進的GenX3 IGBT工藝制造,并利用其先進的穿通(PT)技術提供更低的飽和電壓、更低的開關損耗和更高的浪涌電流能力。
規(guī)格
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,30A
功率 - 最大值:300 W
開關能量:3.47mJ(開),2.16mJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:87 nC
25°C 時 Td(開/關)值:16ns/127ns
測試條件:960V,30A,5 歐姆,15V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應商器件封裝:TO-263AA
基本產(chǎn)品編號:IXGA30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產(chǎn)品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXTY02N120P-TRL
IXTY02N120P-TRL是 IXYS 推出的一款 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252-3(DPAK)封裝,適用于高壓開關、電源管理及工業(yè)控制等應用。該IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封裝,適用于高頻開關電源、電機驅(qū)動及工業(yè)逆變器 等應用。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…電話咨詢:86-755-83294757
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