商品名称：IGT60R070D1ATMA4
品牌：INFINEON
年份：24+
封装：PG-HSOF-8
货期：全新原装
库存数量：1000 件
IGT60R070D1ATMA4-CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术，设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。
产品属性
FET 类型： N 通道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-HSOF-8-3
封装/外壳： 8-PowerSFN
型号
品牌
封装
数量
描述
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