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ADL8102ACPZN是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。

在9 GHz至19 GHz范圍內，ADL8102ACPZN提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪聲系數，在1 GHz至9 GHz范圍內提供25 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)，以及高達15.5 dBm的飽和輸出功率(PSAT)，采用5 V電源電壓時功耗僅為110 mA。ADL8102ACPZN還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

ADL8102ACPZN采用符合RoHS標準的3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。

優(yōu)勢和特點

單個正電源（自偏置）

增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）

OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz時）

OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz時）

噪聲系數：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）

符合RoHS標準的3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

應用

電信

衛(wèi)星通信

軍用雷達

氣象雷達

民用雷達

電子戰(zhàn)

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