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產(chǎn)品說明:CoolSiC? 汽車級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,60 mΩ
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:StrongIRFET? 功率 MOSFET,100 V,采用 TO-247 長(zhǎng)引線封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:汽車級(jí)MOSFET N-通道 80 V 175A 205W PG-LHDSO-10
封裝:PG-LHDSO-10產(chǎn)品說明:經(jīng)過汽車認(rèn)證的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專為 IGBT 技術(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
封裝:PG-DSO-20產(chǎn)品說明:125 V 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 DSO-8 封裝,單輸出,適用于電池供電應(yīng)用
封裝:PG-DSO-8產(chǎn)品說明:用于本地互連網(wǎng)絡(luò)(LIN)的收發(fā)器,集成了喚醒和保護(hù)功能
封裝:PG-DSO-8產(chǎn)品說明:電源開關(guān) IC - 配電 智能高側(cè)MINI-PROFET
封裝:PG-TO252-5產(chǎn)品說明:32位 67MHz ARM Cortex-M3 PSOC? 5 微控制器 IC
封裝:LQFP-100產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 800 V 4A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220-3-31
封裝:PG-TO220-3產(chǎn)品說明:1200 V,450 A 六通道 IGBT 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 LOW POWER ECONO
封裝:模塊產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 LOW POWER ECONO
封裝:模塊產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1700 V 900 A 20 mW 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽現(xiàn)場(chǎng)停止 2 獨(dú)立 1200 V 600 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:Module產(chǎn)品說明:CoolMOS?功率晶體管 通孔 N 通道 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
封裝:PG-TO220-3電話咨詢:86-755-83294757
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